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元件参数资料
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参数目录43324
> BSP295 L6327 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
型号:
BSP295 L6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSP295 L6327 PDF
产品目录绘图
Mosfets SOT-223
标准包装
1,000
系列
SIPMOS®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫欧 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.8V @ 400µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
368pF @ 25V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
PG-SOT223-4
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1620 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BSP295 L6327-ND
BSP295L6327INTR
BSP295L6327XT
SP000089210
查看BSP295 L6327代理商
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